趋势网(微博｜微信)讯：英特尔公司称可能向中国市场投资多达55亿美元用于制造半导体芯片。此举意在为其核心计算机处理芯片技术寻找新的利益流，同时努力拉近和北京方面的关系。

美国英特尔公司声称将更新其在大连的设备，即在中国地区的第一家工厂，将之转换成记忆芯片生产线。英特尔未公布投资的时间段，但声称将在2016下半年开始生产3D NAND 闪存芯片。这种先进的记忆芯片可在能量耗尽前储存数据。

英特尔的动作紧跟半导体产业在世界范围内形成的交易风潮，说明过去用于移动设备数据储存的记忆芯片正变得越来越重要。全球市场研究机构TrendForce 预测中国今年将消费价值66.7亿美元的NAND闪存芯片，占到全球NAND产业利润的29%。

中国政府认为建立自己的半导体芯片产业具有推动中国经济现代化的战略意义。英特尔去年就买下了两家手机芯片制造商的20%的股份，这两家公司均为国家支持的清华控股有限公司（TSHUAA.UL）所有，今年英特尔又将注入新投资。

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清华控股有限公司最近宣布将用38亿美元买下西部数据（Western Digital Corp）——一家美国知名数据存储公司15%的股份。

双方各有动作。西部数据正通过深入谈判兼并美国内存芯片制造商晟碟公司（SanDick Corp）。清华控股则试图兼并美国镁光（Micron），但交易尚待监管审查通过。

英特尔的最新举动令韩国三星电子、海力士，日本东芝等行业巨头感到忧虑。这些公司担心内存芯片制造商所提供的新的芯片供应会损害他们的利益。

分析家指出，半导体产业能否产生健康利润一定程度上取决于这些行业巨头的容量管理是否谨慎小心。

韩国Hynix海力士公司周三股价因大众对其前景的担忧下跌了5.7%。它将于周四发布第三季度财报。

“海力士需要提高其NAND闪存业务的竞争力，但近期行业消息确实对公司产生了影响。”韩亚金融投资分析师Rokho Kim说道。